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詳解真空斷路器的原理與作用是什么

發(fā)布時(shí)間:2021-06-12??瀏覽次數(shù):??來源:四川鑫科電電氣有限公司

真空斷路器處于合閘位置時(shí),其對(duì)地絕緣由支持絕緣子承受,一旦真空斷路器所連接的線路發(fā)生永久接地故障,斷路器動(dòng)作跳閘后,接地故障點(diǎn)又未被清除,則有電母線的對(duì)地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受;各種故障開斷時(shí),斷口一對(duì)觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復(fù)電壓的作用而不發(fā)生擊穿。因此,真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓,使單斷口真空斷路器向高電壓等級(jí)發(fā)展的主要研究課題。

真空度的表示方式:

絕對(duì)壓力低于一個(gè)大氣壓的氣體稀薄的空間,稱為真空空間,真空度越高即空間內(nèi)氣體壓強(qiáng)越低。真空度的單位有三種表示方式:托(即1個(gè)mm水銀柱高),毫巴(103bar)或帕(帕斯卡:Pa)。(1托=131。6Pa,1毫巴=100Pa)我們通常所說真空滅弧室內(nèi)部的真空度要達(dá)10-4托是指滅弧室內(nèi)的氣體壓強(qiáng)僅為"萬分之一mm水銀柱高",亦即是1。31x10-2Pa。

"派森定理"亦有譯為"巴申定律",是指間隙電壓耐受強(qiáng)度與氣體壓力之間的關(guān)系。圖1表示派森定理的關(guān)系曲線呈"V"字形,即充氣壓力的增加或降低,都能提高間間隙絕緣強(qiáng)度。其擊穿機(jī)理至今還不清楚,因?yàn)檎婵諟缁∈覂?nèi)部真空度高于10-4托,這樣稀薄空氣的空間,氣體分子的自由行程為103mm,在真空滅弧室這么大小的容積內(nèi),發(fā)生碰撞的機(jī)率幾乎是零。因此不會(huì)發(fā)生碰撞游離而使真空間隙擊穿。派森定理的"V"形曲線是實(shí)驗(yàn)得出的,條件是在均勻電場的情況下,其間隙擊穿電壓Uj可表示為:

        Uj=KLa

      L------間隙距離;

      a------間隙系數(shù)(間隙<5mm時(shí)a=1,>5mm時(shí),a=0。5)


由派森定理的"V"形關(guān)系曲線中看出,當(dāng)真空度達(dá)103托時(shí)出現(xiàn)拐點(diǎn),拐點(diǎn)四周曲線變得平坦,擊穿電壓幾乎無變化。

當(dāng)真空度和間隙距離相同時(shí),其擊穿電壓則隨觸頭電材料發(fā)生變化,電材料機(jī)械強(qiáng)度高,熔點(diǎn)高時(shí),真空間隙的擊穿電壓亦隨之提高。

真空絕緣的破壞機(jī)理:

前面已說過,在真空滅弧室這樣高度真空度的空間內(nèi),氣體分子的自由行程很大,不會(huì)發(fā)生碰撞分離而使真空間隙在高壓電作用下會(huì)擊穿又是客觀存在,于是就有種解釋真空絕緣會(huì)破壞的機(jī)理,場致發(fā)射引起擊穿,微塊引起擊穿和微放電導(dǎo)致?lián)舸?/p>

場致發(fā)射論對(duì)真空間隙所以能發(fā)生擊穿的解釋

間隙電場能量集中,在電微觀表面的部分發(fā)生電子發(fā)射或蒸發(fā)逸出,撞擊陽使局部發(fā)熱,繼續(xù)放出離子或蒸汽,正離子再撞擊陰發(fā)生二次發(fā)射,相互不斷積累,后導(dǎo)致間隙擊穿。

聞名的FowlerandNoraheim場發(fā)射電流I表達(dá)式為:

             I=AE2e-B/E

         式中 E------電場強(qiáng)度;

            A------常數(shù),與發(fā)射點(diǎn)的面積有關(guān);

            B------常數(shù),與電表面的逸出有關(guān)。

在小的間隙(<1mm)及短脈沖電壓情況下,可以合理地認(rèn)為真空間隙擊穿是由場致發(fā)射引起的,但在長間隙及連續(xù)加壓與長脈沖電壓下,有的學(xué)者認(rèn)為真空的擊穿尚存在其它機(jī)理:

(1)陰引起的擊穿;在強(qiáng)電場下,由于場發(fā)射電流的焦耳發(fā)熱效應(yīng),使陰表面物的溫度升高,當(dāng)溫度達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí),物熔化產(chǎn)生蒸汽引起擊穿。

(2)陽引起的擊穿:由于陰發(fā)射的電子束,轟擊陽使某點(diǎn)發(fā)熱產(chǎn)生熔化和蒸汽而發(fā)生間隙擊穿。產(chǎn)生陽引起擊穿的條件與電場提高系數(shù)和間隙距離有關(guān)。

微塊引起擊穿的解釋:

假設(shè)在電表面附著較輕松的微塊,在電場作用下,微塊脫落而且加速,這微塊撞擊對(duì)面的電時(shí),由于沖擊發(fā)熱可使其本身熔化產(chǎn)生蒸汽,引起擊穿。

微放電導(dǎo)致真空間隙擊穿的解釋:

電的陰表面沾污,將發(fā)生微放電現(xiàn)象。微放電是一種小的自抑制熄滅的電流脈沖,它的總放電電荷3107C,存在時(shí)間由50ms到幾ms,放電一般發(fā)生在大于1mm的間隙中。

這些真空間隙的擊穿機(jī)理表明,真空電的材料與電的表面狀況對(duì)真空間隙的絕緣都是非常要害的因素。

真空間隙的絕緣耐受能力與在先的分合閘操作工況有關(guān):

真空斷路器接觸間隙的擊穿電壓,因耐壓實(shí)驗(yàn)前不同工況的分合閘操作有相應(yīng)的不同結(jié)果,意大利哥倫布(Colombo)工程師在設(shè)備討論會(huì)上有文論述過這方面的問題:試驗(yàn)對(duì)象是24KV斷路器,銅鉻觸頭,額定開斷電流16KA,額定電流630A,觸頭開距15。8mm,觸頭分閘速度1。1m